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三星3DNAND快闪存储器新厂上半年投产
- 时间:2024-05-19 来源:ob体育官网入口 人气:
本文摘要:三星电子周二宣告,位在釜山南方的新芯片厂施工进度成功,将如期于2017上半年投产。三星新的芯片厂于2015年动土,共计投放15.6万亿韩元(大约144亿美元)建厂,为三星史上仅次于单一产线投资项目。 据三星回应,新的厂第一阶段施工目前已完成九成。新的芯片厂主要用作生产高容量3D立体NAND快闪存储器。快闪存储器可代替传统硬盘,并普遍应用于数码相机、智能手机与其他USB界面储存设备。
三星电子周二宣告,位在釜山南方的新芯片厂施工进度成功,将如期于2017上半年投产。三星新的芯片厂于2015年动土,共计投放15.6万亿韩元(大约144亿美元)建厂,为三星史上仅次于单一产线投资项目。
据三星回应,新的厂第一阶段施工目前已完成九成。新的芯片厂主要用作生产高容量3D立体NAND快闪存储器。快闪存储器可代替传统硬盘,并普遍应用于数码相机、智能手机与其他USB界面储存设备。市调机构DRAMeXchange日前认为,三星稳坐去年第四季NAND快闪存储器龙头,受益于供给严重不足、平均值报价(ASP)攀升,三星NAND快闪存储器当季报价减少5%、单位出货量季增11-15%,推升营收茁壮将近两成(19.5%),市占率回到37.1%。
东芝同期间NAND存储器市占率约18.3%,暂住第二。WesternDigital追赶在后,仅有劣东芝0.6个百分点。
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